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CMOS工藝中,將PMOS和NMOS的柵進(jìn)行局部互連的材料是()。
A.多晶硅
B.金屬鋁
C.金屬銅
D.鋁硅銅合金
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單項(xiàng)選擇題
為了實(shí)現(xiàn)全局平坦化,在集成電路中,經(jīng)常采用()工藝。
A.反刻
B.CMP
C.SOG
D.高溫回流
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單項(xiàng)選擇題
以下工藝中,方塊電阻是一個(gè)重要的參數(shù),一般用于衡量()工藝中雜質(zhì)情況。
A.氧化
B.擴(kuò)散
C.光刻
D.刻蝕
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