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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】P-MOSFET的應(yīng)用特點(diǎn)和選擇方法是什么？
答案：
P.MOSFET的柵極是絕緣的，屬于電壓控制器件，因而輸入阻抗高，驅(qū)動(dòng)功率小，電路簡(jiǎn)單。為了正確的控制P-MOSFET的...
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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】GTR的應(yīng)用特點(diǎn)和選擇方法是什么？
答案：
G.TR的熱容量小，過(guò)載能力低，過(guò)載或短路產(chǎn)生的功耗可能在若干徽秒的時(shí)間內(nèi)使結(jié)溫超過(guò)最大允許值而導(dǎo)致器件損壞。
...
...
問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】GTO有哪些主要參數(shù)？其中哪些參數(shù)與普通晶閘管相同？哪些不同？
答案：
G.TO的多數(shù)參數(shù)與普通晶閘管相同，意義不同的參數(shù)有：
（1）最大可關(guān)斷陽(yáng)極電流ITGQM。
（2）關(guān)斷增益Goff。
