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單項選擇題
在晶體硅中摻入元素（）雜質后，能形成N型半導體。
A.鍺
B.磷
C.硼
D.錫
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單項選擇題
對于一定的n型半導體材料，溫度一定時，減少摻雜濃度，將導致（）靠近E
i
。
A.E
c
B.E
v
C.E
g
D.E
F
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填空題
（）雜質可顯著改變載流子濃度；（）雜質可顯著改變非平衡載流子的壽命，是有效的復合中心。
答案：
淺能級；深能級
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