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【簡(jiǎn)答題】用Grove模型解釋分別在高溫區(qū)、低溫區(qū)外延生長(zhǎng)時(shí)溫度與生長(zhǎng)速度的關(guān)系。
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【簡(jiǎn)答題】詳述影響硅外延生長(zhǎng)速率的因素。
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【計(jì)算題】
要拉制30g,ρ=1~3Ω·cm的P型Ge單晶,所用的雜質(zhì)為Ga-Ge合金,合金中P型Ge濃度為C
m
=1017cm
-3
,原料為純Ge,問(wèn)需要多少克Ga-Ge合金?
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