A. 離子注入 B. 熱擴散
二氧化硅膜能有效的對擴散雜質起掩蔽作用的基本條件有哪些（） ①雜質在硅中的擴散系數(shù)大于在二氧化硅中的擴散系數(shù) ②雜質在硅中的擴散系數(shù)小于在二氧化硅中的擴散系數(shù) ③二氧化硅的厚度大于雜質在二氧化硅中的擴散深度 ④二氧化硅的厚度小于雜質在二氧化硅中的擴散深度
A.②④ B.①③ C.①④ D.②③
A.干氧 B.濕氧 C.水汽氧化
