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問答題

【計(jì)算題】在雜質(zhì)濃度N_D=2×10¹⁵cm^-3的硅襯底上擴(kuò)散硼形成pn結(jié)，硼擴(kuò)散的便面濃度為N_A=10¹⁸cm^-3，結(jié)深5μm，求此pn結(jié)5V反向電壓下的勢(shì)壘電容。

答案：

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【計(jì)算題】硅突變pn結(jié)N_A=5×10¹⁸cm^-3，N_D=1.5×10¹⁶cm^-3，設(shè)pn結(jié)擊穿時(shí)的最大電場(chǎng)為E_c=5×10⁵V/cm，計(jì)算pn結(jié)的擊穿電壓。

答案：

【計(jì)算題】硅pn結(jié)的雜質(zhì)濃度，計(jì)算pn結(jié)的反向擊穿電壓，如果要使其反向電壓提高到300V，n側(cè)的電阻率應(yīng)為多少？

答案：

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