單項(xiàng)選擇題

下列有關(guān)Flash存儲(chǔ)器的描述，不正確的是（）

A.Flash存儲(chǔ)器屬于非易失的存儲(chǔ)器
B.Flash存儲(chǔ)器的讀操作與SRAM存儲(chǔ)器的讀操作基本相同
C.Flash存儲(chǔ)器的寫(xiě)操作與SDRAM存儲(chǔ)器的寫(xiě)操作基本相同
D.Flash存儲(chǔ)器在寫(xiě)入信息前必須首先擦除原有信息

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單項(xiàng)選擇題

下面關(guān)于DRAM存儲(chǔ)器描述錯(cuò)誤的是（）

A.DRAM存儲(chǔ)器需要對(duì)存儲(chǔ)內(nèi)容定時(shí)刷新
B.DRAM存儲(chǔ)器具有單位空間存儲(chǔ)容量大的特點(diǎn)
C.DRAM存儲(chǔ)器屬于非易失的存儲(chǔ)器
D.DRAM存儲(chǔ)器主要依靠電容的電荷存儲(chǔ)效應(yīng)記憶信息

單項(xiàng)選擇題

某系統(tǒng)需要永久存放高速度寫(xiě)的數(shù)據(jù)，最合適的存儲(chǔ)器是（）

A.SRAM
B.FRAM
C.EEPROM
D.Flash

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下列有關(guān)Flash存儲(chǔ)器的描述，不正確的是（）

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下面關(guān)于DRAM存儲(chǔ)器描述錯(cuò)誤的是（）

某系統(tǒng)需要永久存放高速度寫(xiě)的數(shù)據(jù)，最合適的存儲(chǔ)器是（）

下列有關(guān)Flash存儲(chǔ)器的描述，不正確的是（）

某系統(tǒng)需要永久存放高速度寫(xiě)的數(shù)據(jù)，最合適的存儲(chǔ)器是（）