- 搜標題
- 搜題干
- 搜選項
問答題
【簡答題】試說明NMOS和PMOS的源漏是如何形成的及為什么？
答案：
LDD技術（輕摻雜漏注入技術）結構：在溝道的漏端及源端增加低摻雜區(qū)。LDD使用的較大質量的摻雜材料使硅片的上表面成為非晶...
你可能感興趣的試題
問答題
【簡答題】試說明MOS工藝中存在的自對準結構及他們的主要優(yōu)點。
答案：
源漏的自對準注入（LDD）：在硅柵工藝中，利用多晶硅柵的掩蔽作用自對準地進行源漏區(qū)的雜質注入，并同時完成多晶硅柵的雜質注...
問答題
【簡答題】什么是硅柵自對準技術？簡單說明其主要制作步驟和主要優(yōu)點。
答案：
是一種在晶圓片上用單個掩模形成不同區(qū)域的的多層結構的技術，是一種可將兩次MASK步驟合為一次，讓多個不同區(qū)域一次成形的工...
