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在離子晶體中，由于電中性的要求，肖特基缺陷都成對(duì)地產(chǎn)生。令n代表正負(fù)離子空位的對(duì)數(shù)，u是形成一對(duì)缺陷所需要的能量，N為整個(gè)離子晶體中正負(fù)離子對(duì)的數(shù)目，證明

離子晶體中，肖特基缺陷多成對(duì)產(chǎn)生。如n代表正負(fù)離子空位的數(shù)目，u₀代表產(chǎn)生一對(duì)缺陷所需要的能量，N代表晶體中原有正負(fù)離子對(duì)的數(shù)目，理論上可推出式中，γ和B分別是與原子的振動(dòng)頻率的改變和缺陷激活能隨體積變化有關(guān)的參量。設(shè)試求T=300K和T=1000K時(shí)由于有肖特基缺陷后體積的相對(duì)變化ΔV/V。