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【計算題】在500g的硅單晶中摻有4.5×10
-5
g的硼,設雜質(zhì)全部電離,求該材料的電阻率(設μ
p
=400cm
2
/V.s),硅單密度為2.33g/cm
3
,硼的原子量為10.8)。
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【計算題】本征硅在室溫時電子和空穴遷移分別為1350cm
2
/V.s和500cm
2
/V.s,當摻入百萬分之一的A
s
后,設雜質(zhì)全部電離,試計算其電導率比本征硅的電導率增大了多少倍?
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【計算題】300K時,鍺的本征電阻率為47Ω.cm,如電子空求本征鍺的載流子濃度分別為3900cm
2
/V.s和1900cm
2
/V.s,求本征鍺的載流子濃度。
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