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問答題

【計算題】在500g的硅單晶中摻有4.5×10^-5g的硼，設雜質(zhì)全部電離，求該材料的電阻率（設μ_p=400cm²/V.s），硅單密度為2.33g/cm³，硼的原子量為10.8）。

答案：

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【計算題】本征硅在室溫時電子和空穴遷移分別為1350cm²/V.s和500cm²/V.s，當摻入百萬分之一的A_s后，設雜質(zhì)全部電離，試計算其電導率比本征硅的電導率增大了多少倍？

答案：

【計算題】300K時，鍺的本征電阻率為47Ω.cm，如電子空求本征鍺的載流子濃度分別為3900cm²/V.s和1900cm²/V.s，求本征鍺的載流子濃度。

答案：

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