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MOSFET的跨導(dǎo)的定義是(),反映了()對()的控制能力。
答案:
轉(zhuǎn)移特性曲線的斜率;柵源電壓;漏極電流
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填空題
由于源、漏區(qū)的摻雜濃度()于溝道區(qū)的摻雜濃度,所以MOSFET源、漏PN結(jié)的耗盡區(qū)主要向()區(qū)擴展,使MOSFET的源、漏穿通問題比雙極型晶體管的基區(qū)穿通問題()。
答案:
大;襯底;嚴(yán)重
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填空題
由于柵氧化層中通常帶()電荷,所以()型區(qū)比()型區(qū)更容易發(fā)生反型。
答案:
正;P;N
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