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問答題
【計算題】
設(shè)晶格常數(shù)為a的一維晶格，導(dǎo)帶極小值附近能量Ec（k）和價帶極大值附近能量Ev（k）分別為：
（1）禁帶寬度；
（2）導(dǎo)帶底電子有效質(zhì)量；
（3）價帶頂電子有效質(zhì)量；
（4）價帶頂電子躍遷到導(dǎo)帶底時準(zhǔn)動量的變化。
答案：
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問答題
【簡答題】以Si在GaAs中的行為為例，說明IV族雜質(zhì)在III-V族化合物中可能出現(xiàn)的雙性行為。
答案：
Si取代GaAs中的Ga原子則起施主作用；Si取代GaAs中的As原子則起受主作用。導(dǎo)帶中電子濃度隨硅雜質(zhì)濃度的增加而增...
問答題
【簡答題】簡述效質(zhì)量m*的引入意義
答案：
有效質(zhì)量概括了半導(dǎo)體內(nèi)部勢場的作用，使得在解決半導(dǎo)體中電子在外力作用下的運動規(guī)律時，可以不涉及半導(dǎo)體內(nèi)部勢場的作用。
