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【計(jì)算題】求室溫下?lián)戒R的n型硅,使E
F
=(E
C
+E
D
)/2時(shí)銻的濃度。已知銻的電離能為0.039eV。
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【計(jì)算題】摻磷的n型硅,已知磷的電離能為0.044eV,求室溫下雜質(zhì)一半電離時(shí)費(fèi)米能級(jí)的位置和濃度。
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【計(jì)算題】施主濃度為10
13
cm
3
的n型硅,計(jì)算400K時(shí)本征載流子濃度、多子濃度、少子濃度和費(fèi)米能級(jí)的位置。
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