填空題

(H3Si)3N和(H3C)3N的結(jié)構(gòu)分別是()和(),原因是()。

答案: 平面三角形;三角錐;Si上的空d軌道和N上的孤對(duì)電子有成鍵作用,降低了N上孤對(duì)電子的電子云密度
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