填空題

由于O2在SiO2中的擴散率遠（）于Si 在SiO2中的擴散率，所以氧化反應(yīng)是由O2穿過SiO2層，在（）界面與Si原子反應(yīng)。相同溫度下，濕氧氧化速率（）于干氧氧化速率，是因為在SiO2中，H2O比O2有更（）的擴散率和溶解度。由于N2和Si在Si3N4中的擴散率都很（），所以很難在Si襯底上熱生長Si3N4。通常在Si襯底上用（）法沉積Si3N4薄膜。

答案： 高；Si-SiO2；高；高；低；PECVD
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填空題

擴散系統(tǒng)主要有以下四部分組成：（）
答案： 爐體與爐管、氣體系統(tǒng)、溫度和氣源控制系統(tǒng)、裝片系統(tǒng)
填空題

擴散分布的主要測量方法有：（）。
答案： 四探針測電阻率、擴展電阻測載流子分布、霍爾效應(yīng)測電阻率、染色法測結(jié)深、二次離子質(zhì)譜測雜質(zhì)分布、盧瑟福背散射測重雜質(zhì)分布
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