單項(xiàng)選擇題

關(guān)于劑量建成區(qū)形成的原因，錯(cuò)誤的是（）

A.高能X（γ）射線入射到人體或模體時(shí)，在體表或皮下產(chǎn)生高能次級電子
B.雖然所產(chǎn)生的高能次級電子射程較短，但仍需穿過一定深度直至能量耗盡后停止
C.在最大電子射程內(nèi)高能次級電子產(chǎn)生的吸收劑量隨組織深度增加而增加
D.高能X（γ）射線隨組織深度增加，產(chǎn)生的高能次級電子減少
E.劑量建成區(qū)的形成實(shí)際是帶電粒子能量沉積過程

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