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PN半導體加逆向偏壓時會有些許電流產(chǎn)生,乃是因為()所引起.
A.正離子
B.負離子
C.少數(shù)載子
D.多數(shù)載子
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當逆向偏壓從10V減少到5V時,二極管接面的空乏區(qū)將()
A.變小
B.變大
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D.崩潰
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三價雜質加到硅形成()
A.鍺
B.P型半導體
C.N型半導體
D.空乏區(qū)
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