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問答題

【計算題】硅晶體管的標稱耗散功率為20W，總熱阻為5℃/W，滿負荷條件下允許的最高環(huán)境溫度是多少？（硅T_jm=200℃，鍺T_jm=100℃）

答案：

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【計算題】已知npn非均勻基區(qū)晶體管的有關參數(shù)為x_jc=5μm，x_je=3μm，電子擴散系數(shù)D_n=8cm²/s，τ_n=1μs，本征基區(qū)方塊電阻R_sB=2500Ω，R_sE=5Ω計算其電流放大系數(shù)α、β。

答案：

【計算題】
硅npn晶體管的材料參數(shù)和結構如下：

計算晶體管的發(fā)射結注入效率γ，基區(qū)輸運系數(shù)α_T，V_BE=0.55V，計算復合系數(shù)δ，并由此計算晶體管的共發(fā)射極電流放大系數(shù)β。

答案：

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