當(dāng)光從折射率為的介質(zhì)入射到折射率為n2的介質(zhì)時,對應(yīng)的布儒斯特角ib為()。
A.A B.B C.C D.D
一根半徑為R的實心長直導(dǎo)線均勻通有電流I,作一寬為R,長為L的假想平面S,如圖所示。若假想平面S可在導(dǎo)線直 徑與軸OO′所確定的平面內(nèi)離開OO′移動至遠(yuǎn)處,試求當(dāng)通過S面的磁通量為最大值時,S平面的位置。(設(shè)直導(dǎo)線內(nèi)電流均勻分布,且導(dǎo)線內(nèi)半徑r處的磁感應(yīng)強(qiáng)度
A.位移電流是由變化的電場產(chǎn)生的 B.位移電流是由變化的磁場產(chǎn)生的 C.位移電流的熱效應(yīng)服從焦耳—楞次定律 D.位移電流的磁效應(yīng)不服從安培環(huán)路定律