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SOI技術(shù)
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稱絕緣層上硅,把器件做在絕緣襯底生長的硅單晶層上。
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同時引入兩種原子半徑不同的雜質(zhì)原子,使他們產(chǎn)生的應(yīng)變正好相反。應(yīng)力得到補償,減少或避免晶格畸變,消除失配位錯-應(yīng)力補償法...
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