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問答題
【簡答題】試述MOS管溝道長度L和寬度W與閾值電壓的關(guān)系。
答案:
當(dāng)MOS工藝發(fā)展到亞微米、深亞微米水平后,必須考慮二階效應(yīng)。這時(shí),隨著溝道長度L的減小,閾值電壓將減?。浑S著溝道寬度W的...
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【簡答題】什么是MOSFET的閾值電壓,它受哪些因素影響?
答案:
閾值電壓V
t
是使半導(dǎo)體表面達(dá)到強(qiáng)反型所需加的柵極電壓。它受襯底摻雜濃度、體效應(yīng)、半導(dǎo)體材料的費(fèi)米勢等的影響。
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【計(jì)算題】已知突變PN結(jié)零偏勢壘電容為3pF,內(nèi)建勢壘電壓為0.5V,計(jì)算10V反偏電壓時(shí)的勢壘電容。
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