(a)在MgO晶體中,肖特基缺陷的生成能為6eV,計(jì)算在25℃和1600℃時(shí)熱缺陷的濃度。
(b)如果MgO晶體中,含有百萬分之一mol的Al2O3雜質(zhì),則在1600℃時(shí),MgO晶體中是熱缺陷占優(yōu)勢(shì)還是雜質(zhì)缺陷占優(yōu)勢(shì)?說明原因。
非化學(xué)計(jì)量氧化物TiO2-x的制備強(qiáng)烈依賴于氧分壓和溫度:
(a)試列出其缺陷反應(yīng)式。
(b)求其缺陷濃度表達(dá)式。