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在半導體材料中,載流子散射主要有兩方面的原因:()和()。
答案:
電離雜質(zhì)散射;晶格振動散射
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填空題
下兩圖(a)與(b)中,(a)圖是()型半導體的能帶結(jié)構(gòu)圖,(b)圖是()型半導體的能帶結(jié)構(gòu)圖。
答案:
n;p
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電場周期破壞的來源是:()、()、()、()等。
答案:
晶格熱振動;雜質(zhì)的引入;位錯;裂縫
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