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光刻工藝的主要工序有:()組成。
答案:
涂膠、前烘、對位、曝光、顯影、堅膜、介質(zhì)刻蝕、去膠
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填空題
快速熱處理設(shè)備(RTP)的主要熱交換機制是(),常用熱源是()。RTP的主要優(yōu)點是 ()。
答案:
熱輻射;鎢-鹵燈;時間短可減少雜質(zhì)的再分布、燈光加熱無污染
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填空題
CMOS工藝中,阱注入的計量為()量級;源、漏注入的劑量為()量級;開啟調(diào)整的注入劑量為()量級 ;場注入的的劑量為()量級;離子束合成SOI材料SIMOX的O
+
注入計量為()量級。
答案:
10
12
/cm
2
;10
15
/cm
2
;10
11
/cm
2
;10
13
/cm
2
;10
18
/cm
2
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