問答題

【簡答題】簡述硅柵p阱CMOS的光刻步驟？

答案： P阱光刻，光刻有源區(qū)，光刻多晶硅，P+區(qū)光刻，N+區(qū)光刻，光刻接觸孔，光刻鋁線
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【簡答題】簡單敘述一下pn結隔離的NPN晶體管的光刻步驟？
答案： 第一次光刻：N+隱埋層擴散孔光刻
第二次光刻：P隔離擴散孔光刻
第三次光刻：P型基區(qū)擴散孔光刻
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【簡答題】在制作晶體管的時候，襯底材料電阻率的選取對器件有何影響？
答案： 電阻率過大將增大集電極串聯(lián)電阻，擴大飽和壓降，若過小耐壓低，結電容增大，且外延時下推大
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