多項選擇題

關(guān)于DDR3的PCB布局布線要求，下列說法正確的是（）。

A.采用T拓撲結(jié)構(gòu)上拉電阻放在T點處，上拉電阻的走線長度要小于500mil
B.采用FLY-BY拓撲上拉電阻放在最后一片DDR3芯片的后端，上拉電阻的走線長度要小于500mil
C.當(dāng)DDR3芯片所需的電流超過電源走線的通流能力，會因驅(qū)動能力不足導(dǎo)致對信號處的錯誤處理
D.DDR3布線減少過孔的數(shù)量是為了避免過孔的寄生電容和電感對信號質(zhì)量的影響

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多項選擇題

關(guān)于DDR3的新特性，下列說法正確的是（）。

A.Reset提供了超省電功能的命令，可以讓DDR3電路停止運作、進入超省電待命模式
B.ZQ則是一個新增的終端電阻校準功能，用來校準ODT（OnDieTermination）內(nèi)部終端電阻
C.PASR信號是局部Bank刷新的功能，針對整個內(nèi)存Bank做更有效的資料讀寫以達到省電功效
D.在DDR3系統(tǒng)中，Vref分可為兩個信號即VREFCA和VREFDQ，有效地提高系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線的信噪等級

單項選擇題

DDR2的ODT允許配置的阻值的四種模式是（）。

A.150Ω、120Ω、50Ω、0Ω
B.150Ω、100Ω、50Ω、0Ω
C.150Ω、75Ω、50Ω、10Ω
D.150Ω、75Ω、50Ω、關(guān)閉

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關(guān)于DDR3的新特性，下列說法正確的是（）。

DDR2的ODT允許配置的阻值的四種模式是（）。

關(guān)于DDR3的PCB布局布線要求，下列說法正確的是（）。

關(guān)于DDR3的新特性，下列說法正確的是（）。

DDR2的ODT允許配置的阻值的四種模式是（）。