問答題

【簡答題】GTR、P-MOSFET、IGBT吸收電路的基本結(jié)構(gòu)如何？其減少被保護(hù)器件開關(guān)損耗的機(jī)理如何？

答案： 緩沖電路的功能包括抑制和吸收二個方面。下圖為電路的基本結(jié)構(gòu)。

關(guān)斷過程：Cs與GTR集射極并聯(lián)，利...
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【簡答題】GTR、IGBT等過流保護(hù)中，為何要采用檢測集射極電壓作為保護(hù)基準(zhǔn)？
答案： 1.如以測量集電極電流Ic為過流保護(hù)原則，當(dāng)Icg測量誤差為△Ic，則保護(hù)電路將在集電極電流為Icg+△Ic時才動作，但...
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【簡答題】GTR、P-MOSFET、IGBT使用中，電流定額選擇中各要注意什么？
答案： GTR有二次擊穿現(xiàn)象以及其安全工作區(qū)受各項參數(shù)影響而變化和熱容量小、過流能力低等問題。功率MOSFFT是一種電壓驅(qū)動器件...
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