在一本征硅中,摻入施主雜質(zhì),其濃度ND=2×1014cm-3。 (1)求室溫300K時自由電子和空穴的熱平衡濃度值,并說明半導體為P型或N型。 (2 )若再摻入受主雜質(zhì),其濃度NA=3×1014cm-3,重復(1)。 (3)若ND=NA=1015cm-3,重復(1)。 (4)若ND=1016cm-3,NA=1014cm-3,重復(1)。
A.長遠B.全面C.辯證D.獨特
A.市人民檢察院B.市人民法院C.市國家安全機關D.市公安機關