<li id="8lp6l"><dl id="8lp6l"></dl></li>
微信掃一掃關(guān)注公眾號(hào)后聯(lián)系客服
微信掃碼免費(fèi)搜題
首頁
題庫
網(wǎng)課
在線?？?/h3>
桌面端
登錄
搜標(biāo)題
搜題干
搜選項(xiàng)
問答題
【簡答題】Poly（多晶硅）柵極的刻蝕（etch）要注意哪些地方？
答案：
①Poly 的CD（尺寸大小控制；
②避免Gate oxie 被蝕刻掉，造成基材...
點(diǎn)擊查看完整答案
在線練習(xí)
手機(jī)看題
你可能感興趣的試題
問答題
【簡答題】Poly（多晶硅）柵極形成的步驟大致可分為那些？
答案：
①Gate oxide（柵極氧化層）的沉積；
②Poly film的沉積及SiON（在光刻...
點(diǎn)擊查看完整答案
手機(jī)看題
問答題
【簡答題】一般的離子注入層次（Implant layer）工藝制造可分為那幾道步驟?
答案：
一般包含下面幾道步驟：
①光刻（Photo）及圖形的形成；
②離子注入調(diào)整；
③離子注入完...
點(diǎn)擊查看完整答案
手機(jī)看題
微信掃一掃關(guān)注公眾號(hào)后聯(lián)系客服
微信掃碼免費(fèi)搜題
