單項(xiàng)選擇題

通常，一個(gè)線性排列的CCD元件有P型硅襯底和許多電極組成，在鋁電極和硅襯底之間有一層二氧化硅，電極上存在高電位時(shí)將形成耗盡區(qū)，這是（）的結(jié)果。

A.空穴移向襯底深處
B.空穴移向二氧化硅層
C.電子移向二氧化硅層
D.電子移向襯底層深處

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