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【計算題】在一塊p型半導體中,有一種復合-產(chǎn)生中心,小注入時,被這些中心俘獲的電子發(fā)射回導帶的過程和它與空穴復合的過程具有相同的概率。試求這種復合-產(chǎn)生中心的能級位置,并說明它能否成為有效的復合中心?
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【計算題】
摻施主濃度ND=10
15
cm
-3
的n型硅,由于光的照射產(chǎn)生了非平衡載流子∆n=∆p=10
14
cm
-3
。試計算這種情況下的準費米能級位置,并和原來的費米能級作比較。
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【計算題】畫出p型半導體在光照(小注入)前后的能帶圖,標出原來的的費米能級和光照時的準費米能級。
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