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在淀積好金屬層之外,通常采用LPCVD法來淀積SiO2。
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LPCVD(低壓化學氣相沉積)是一種在半導體制造中廣泛使用的薄膜沉積技術,它可以在較低的壓力下進行,通常在100到100...
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