半導(dǎo)體芯片制造工章節(jié)練習(xí)(2019.06.25)
來(lái)源：考試資料網(wǎng)1.問(wèn)答題影響外延薄膜的生長(zhǎng)速度的因素有哪些？
參考答案：1）溫度高溫區(qū)B區(qū)，生長(zhǎng)速率對(duì)溫度的變化不敏感，生長(zhǎng)速率由氣相質(zhì)量輸運(yùn)控制，并且對(duì)反應(yīng)室的幾何形狀和氣流有很大的依賴性。...
2.問(wèn)答題集成電容主要有哪幾種結(jié)構(gòu)？
參考答案：
①金屬-絕緣體-金屬（MIM）結(jié)構(gòu)；
②多晶硅/金屬-絕緣體-多晶硅結(jié)構(gòu)；
③金屬叉指結(jié)構(gòu)；
④PN結(jié)電容；
⑤MOS電容。
5.問(wèn)答題
Si-SiO2界面電荷有哪幾種？簡(jiǎn)述其來(lái)源及處理辦法。
參考答案：可動(dòng)離子電荷Qm來(lái)源：主要來(lái)源于Na+等網(wǎng)絡(luò)改變者。解決辦法：為了降低Na+的玷污，可以在工藝過(guò)程...
參考答案：RTP工藝是一類單片熱處理工藝，其目的是通過(guò)縮短熱處理時(shí)間和溫度或只縮短熱處理時(shí)間來(lái)獲得最小的工藝熱預(yù)算（Thermal...
參考答案：擴(kuò)散效應(yīng)是指襯底中的雜質(zhì)與外延層中的雜質(zhì)，在外延生長(zhǎng)時(shí)互相擴(kuò)散，引起襯底與外延層界面附近雜質(zhì)濃度的緩慢變化。擴(kuò)散效應(yīng)對(duì)界...
10.問(wèn)答題離子在靶內(nèi)運(yùn)動(dòng)時(shí)，損失能量可分核阻滯和電子阻滯，解釋什么是核阻滯、電子阻滯？?jī)煞N阻滯本領(lǐng)與注入離子能量具有何關(guān)系？
參考答案：①碰撞注入離子與靶內(nèi)原子核之間的相互碰撞。因注入離子與靶原子的質(zhì)量一般為同一數(shù)量級(jí)，每次碰撞之后，注入離子都可能發(fā)生大角...
