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單項(xiàng)選擇題

將預(yù)先制好的掩膜直接和涂有光致抗蝕劑的晶片表面接觸，再用紫外光照射來進(jìn)行曝光的方法，稱為（）曝光。

A.接觸
B.接近式
C.投影

問答題

單晶片切割的質(zhì)量要求有哪些？

答案：

晶向偏離度總厚度誤差，平衡度，翹曲度等

填空題

熱分解化學(xué)氣相淀積二氧化硅是利用（）化合物，經(jīng)過熱分解反應(yīng)，在基片表面淀積二氧化硅。

答案：含有硅的化合物

問答題

以P2O2為例說明SiO2的掩蔽過程。

答案：以P₂O₂雜質(zhì)源為例來說明SiO₂的掩蔽過程：當(dāng)P

問答題

簡述你所在工藝的工藝質(zhì)量要求？你如何檢查你的工藝質(zhì)量？

答案：外延要求：1.集電極擊穿電壓要求
2.集電極串聯(lián)電阻要小.
...

單項(xiàng)選擇題

器件的橫向尺寸控制幾乎全由（）來實(shí)現(xiàn)。

A.掩膜版
B.擴(kuò)散
C.光刻

單項(xiàng)選擇題

禁帶寬度的大小決定著電子從價(jià)帶跳到導(dǎo)帶的難易，一般半導(dǎo)體材料的禁帶寬度越寬，所制作的半導(dǎo)體器件中的載流子（）外界因素（如高溫和輻射等）的干擾而產(chǎn)生變化。

A.越不容易受
B.越容易受
C.基本不受

填空題

全定制、半定制版圖設(shè)計(jì)中用到的單元庫包含（）、（）、（）和（）。

答案：符號(hào)圖；抽象圖；線路圖；版圖

判斷題

光致抗蝕劑在曝光前對(duì)某些溶劑是可溶的，曝光后硬化成不可溶解的物質(zhì)，這一類抗蝕劑稱為負(fù)性光致抗蝕劑，由此組成的光刻膠稱為負(fù)性膠。（）

答案：正確

問答題

熱退火用于消除離子注入造成的損傷，溫度要低于雜質(zhì)熱擴(kuò)散的溫度，然而，雜質(zhì)縱向分布仍會(huì)出現(xiàn)高斯展寬與拖尾現(xiàn)象，解釋其原因。

答案：離子注入后會(huì)對(duì)晶格造成簡單晶格損傷和非晶層形成；損傷晶體空位密度大于非損傷晶體，且存在大量間隙原子和其他缺陷，使擴(kuò)散系數(shù)...

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半導(dǎo)體芯片制造工章節(jié)練習(xí)(2019.07.13)

將預(yù)先制好的掩膜直接和涂有光致抗蝕劑的晶片表面接觸，再用紫外光照射來進(jìn)行曝光的方法，稱為（）曝光。

單晶片切割的質(zhì)量要求有哪些？

熱分解化學(xué)氣相淀積二氧化硅是利用（）化合物，經(jīng)過熱分解反應(yīng)，在基片表面淀積二氧化硅。

以P2O2為例說明SiO2的掩蔽過程。

簡述你所在工藝的工藝質(zhì)量要求？你如何檢查你的工藝質(zhì)量？

器件的橫向尺寸控制幾乎全由（）來實(shí)現(xiàn)。

禁帶寬度的大小決定著電子從價(jià)帶跳到導(dǎo)帶的難易，一般半導(dǎo)體材料的禁帶寬度越寬，所制作的半導(dǎo)體器件中的載流子（）外界因素（如高溫和輻射等）的干擾而產(chǎn)生變化。

全定制、半定制版圖設(shè)計(jì)中用到的單元庫包含（）、（）、（）和（）。

光致抗蝕劑在曝光前對(duì)某些溶劑是可溶的，曝光后硬化成不可溶解的物質(zhì)，這一類抗蝕劑稱為負(fù)性光致抗蝕劑，由此組成的光刻膠稱為負(fù)性膠。（）

熱退火用于消除離子注入造成的損傷，溫度要低于雜質(zhì)熱擴(kuò)散的溫度，然而，雜質(zhì)縱向分布仍會(huì)出現(xiàn)高斯展寬與拖尾現(xiàn)象，解釋其原因。

半導(dǎo)體芯片制造工章節(jié)練習(xí)(2019.07.13)

將預(yù)先制好的掩膜直接和涂有光致抗蝕劑的晶片表面接觸，再用紫外光照射來進(jìn)行曝光的方法，稱為（）曝光。

單晶片切割的質(zhì)量要求有哪些？

熱分解化學(xué)氣相淀積二氧化硅是利用（）化合物，經(jīng)過熱分解反應(yīng)，在基片表面淀積二氧化硅。

以P2O2為例說明SiO2的掩蔽過程。

簡述你所在工藝的工藝質(zhì)量要求？你如何檢查你的工藝質(zhì)量？

器件的橫向尺寸控制幾乎全由（）來實(shí)現(xiàn)。

禁帶寬度的大小決定著電子從價(jià)帶跳到導(dǎo)帶的難易，一般半導(dǎo)體材料的禁帶寬度越寬，所制作的半導(dǎo)體器件中的載流子（）外界因素（如高溫和輻射等）的干擾而產(chǎn)生變化。

全定制、半定制版圖設(shè)計(jì)中用到的單元庫包含（）、（）、（）和（）。

光致抗蝕劑在曝光前對(duì)某些溶劑是可溶的，曝光后硬化成不可溶解的物質(zhì)，這一類抗蝕劑稱為負(fù)性光致抗蝕劑，由此組成的光刻膠稱為負(fù)性膠。（）

熱退火用于消除離子注入造成的損傷，溫度要低于雜質(zhì)熱擴(kuò)散的溫度，然而，雜質(zhì)縱向分布仍會(huì)出現(xiàn)高斯展寬與拖尾現(xiàn)象，解釋其原因。

將預(yù)先制好的掩膜直接和涂有光致抗蝕劑的晶片表面接觸，再用紫外光照射來進(jìn)行曝光的方法，稱為（）曝光。

單晶片切割的質(zhì)量要求有哪些？

熱分解化學(xué)氣相淀積二氧化硅是利用（）化合物，經(jīng)過熱分解反應(yīng)，在基片表面淀積二氧化硅。

以P2O2為例說明SiO2的掩蔽過程。

簡述你所在工藝的工藝質(zhì)量要求？你如何檢查你的工藝質(zhì)量？

禁帶寬度的大小決定著電子從價(jià)帶跳到導(dǎo)帶的難易，一般半導(dǎo)體材料的禁帶寬度越寬，所制作的半導(dǎo)體器件中的載流子（）外界因素（如高溫和輻射等）的干擾而產(chǎn)生變化。

全定制、半定制版圖設(shè)計(jì)中用到的單元庫包含（）、（）、（）和（）。

光致抗蝕劑在曝光前對(duì)某些溶劑是可溶的，曝光后硬化成不可溶解的物質(zhì)，這一類抗蝕劑稱為負(fù)性光致抗蝕劑，由此組成的光刻膠稱為負(fù)性膠。（）

熱退火用于消除離子注入造成的損傷，溫度要低于雜質(zhì)熱擴(kuò)散的溫度，然而，雜質(zhì)縱向分布仍會(huì)出現(xiàn)高斯展寬與拖尾現(xiàn)象，解釋其原因。