半導體物理章節(jié)練習(2020.05.27)

問答題
間接復合效應與陷阱效應有何異同？
答案：間接復合效應是指非平衡載流子通過位于禁帶中特別是位于禁帶中央的雜質(zhì)或缺陷能級Et而逐漸消失的效應，Et的存在可能大大促進...
問答題
n型硅中，摻雜濃度ND=1016cm-3，光注入的非平衡載流子濃度∆n=∆p=1014cm-3。計算無光照和有光照的電導率。
答案：
名詞解釋
能帶
答案：晶體中，電子的能量是不連續(xù)的，在某些能量區(qū)間能級分布是準連續(xù)的，在某些區(qū)間沒有能及分布。這些區(qū)間在能級圖中表現(xiàn)為帶狀，稱...
問答題
解釋耿氏振蕩現(xiàn)象，振蕩頻率取決于哪些參數(shù)？
答案：
耿氏振蕩來源于半導體內(nèi)的負微分電導，振蕩頻率決定于外加電壓和器件的長度。
問答題
描述半導體中電子運動為什么要引入"有效質(zhì)量"的概念，用電子的慣性質(zhì)量描述能帶中電子運動有何局限性。
答案：引進有效質(zhì)量的意義在于它概括了半導體內(nèi)部勢場的作用，使得在解決半導體中電子在外力作用下的運動規(guī)律時，可以不涉及半導體內(nèi)部...
問答題
兩塊n型硅材料，在溫度T時，第一塊與第二塊的電子密度之比為n1/n2=e。（1）如果第一塊材料的費米能級在導帶之下3k0T，求第二塊材料的費米能級的位置。（2）兩塊材料中空穴密度之比。
答案：
（1）設第一塊和第二塊材料的費米能級分別為E_F1和E_F2，利用
問答題
試定性說明Ge、Si的禁帶寬度具有負溫度系數(shù)的原因。
答案：電子的共有化運動導致孤立原子的能級形成能帶，即允帶和禁帶。溫度升高，則電子的共有化運動加劇，導致允帶進一步分裂、變寬；允...
問答題
磷化鎵的禁帶寬度Eg=2.26eV，相對介電常數(shù)εr=11.1，空穴的有效質(zhì)量mp*=0.86m0，m0為電子的慣性質(zhì)量，求①受主雜質(zhì)電離能；②受主束縛的空穴的基態(tài)軌道半徑。
答案：
填空題
溫度升高時，二極管的反向伏安特性曲線（）。說明此時反向電流（）。
答案：下移;增大
問答題
什么叫雜質(zhì)補償，什么叫高度補償?shù)陌雽w，雜質(zhì)補償有何實際應用。
答案：當半導體中既有施主又有受主時，施主和受主將先相互抵消，剩余的雜志最后電離，這就是雜質(zhì)補償，若施主電子剛好填充受主能級，雖...

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半導體物理章節(jié)練習(2020.05.27)

間接復合效應與陷阱效應有何異同？

n型硅中，摻雜濃度ND=1016cm-3，光注入的非平衡載流子濃度∆n=∆p=1014cm-3。計算無光照和有光照的電導率。

能帶

解釋耿氏振蕩現(xiàn)象，振蕩頻率取決于哪些參數(shù)？

描述半導體中電子運動為什么要引入"有效質(zhì)量"的概念，用電子的慣性質(zhì)量描述能帶中電子運動有何局限性。

兩塊n型硅材料，在溫度T時，第一塊與第二塊的電子密度之比為n1/n2=e。（1）如果第一塊材料的費米能級在導帶之下3k0T，求第二塊材料的費米能級的位置。（2）兩塊材料中空穴密度之比。

試定性說明Ge、Si的禁帶寬度具有負溫度系數(shù)的原因。

磷化鎵的禁帶寬度Eg=2.26eV，相對介電常數(shù)εr=11.1，空穴的有效質(zhì)量mp*=0.86m0，m0為電子的慣性質(zhì)量，求①受主雜質(zhì)電離能；②受主束縛的空穴的基態(tài)軌道半徑。

溫度升高時，二極管的反向伏安特性曲線（）。說明此時反向電流（）。

什么叫雜質(zhì)補償，什么叫高度補償?shù)陌雽w，雜質(zhì)補償有何實際應用。

半導體物理章節(jié)練習(2020.05.27)

間接復合效應與陷阱效應有何異同？

n型硅中，摻雜濃度ND=1016cm-3，光注入的非平衡載流子濃度∆n=∆p=1014cm-3。計算無光照和有光照的電導率。

能帶

解釋耿氏振蕩現(xiàn)象，振蕩頻率取決于哪些參數(shù)？

描述半導體中電子運動為什么要引入"有效質(zhì)量"的概念，用電子的慣性質(zhì)量描述能帶中電子運動有何局限性。

兩塊n型硅材料，在溫度T時，第一塊與第二塊的電子密度之比為n1/n2=e。（1）如果第一塊材料的費米能級在導帶之下3k0T，求第二塊材料的費米能級的位置。（2）兩塊材料中空穴密度之比。

試定性說明Ge、Si的禁帶寬度具有負溫度系數(shù)的原因。

磷化鎵的禁帶寬度Eg=2.26eV，相對介電常數(shù)εr=11.1，空穴的有效質(zhì)量mp*=0.86m0，m0為電子的慣性質(zhì)量，求①受主雜質(zhì)電離能；②受主束縛的空穴的基態(tài)軌道半徑。

溫度升高時，二極管的反向伏安特性曲線（）。說明此時反向電流（）。

什么叫雜質(zhì)補償，什么叫高度補償?shù)陌雽w，雜質(zhì)補償有何實際應用。

間接復合效應與陷阱效應有何異同？

n型硅中，摻雜濃度ND=1016cm-3，光注入的非平衡載流子濃度∆n=∆p=1014cm-3。計算無光照和有光照的電導率。

解釋耿氏振蕩現(xiàn)象，振蕩頻率取決于哪些參數(shù)？

描述半導體中電子運動為什么要引入"有效質(zhì)量"的概念，用電子的慣性質(zhì)量描述能帶中電子運動有何局限性。

兩塊n型硅材料，在溫度T時，第一塊與第二塊的電子密度之比為n1/n2=e。（1）如果第一塊材料的費米能級在導帶之下3k0T，求第二塊材料的費米能級的位置。（2）兩塊材料中空穴密度之比。

磷化鎵的禁帶寬度Eg=2.26eV，相對介電常數(shù)εr=11.1，空穴的有效質(zhì)量mp*=0.86m0，m0為電子的慣性質(zhì)量，求①受主雜質(zhì)電離能；②受主束縛的空穴的基態(tài)軌道半徑。

溫度升高時，二極管的反向伏安特性曲線（）。說明此時反向電流（）。

什么叫雜質(zhì)補償，什么叫高度補償?shù)陌雽w，雜質(zhì)補償有何實際應用。