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每日一練
章節(jié)練習
集成電路制造工藝員(三級)單項選擇題每日一練(2019.01.17)
來源:考試資料網
1
危害半導體工藝的典型金屬雜質是()。
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2
在刻蝕二氧化硅過程中假如我們在CF
4
的()內加入適量的氫氣,能夠降低刻蝕的速率。
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3
ESD產生()種不同的靜電總類。
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4
()是通過把被蒸物體加熱,利用被蒸物在高溫時的飽和蒸汽壓來進行薄膜沉積的。
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5
當熱氧化的最初階段,()為限制反應速率的主要原因。
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