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單項選擇題
刻蝕要求在整個晶圓上有一個均勻的刻蝕速率,()是在晶圓上由測量刻蝕過程前后特定點的厚度,并計算這些點的刻蝕速率而得到的。
A.選擇性
B.均勻性
C.輪廓
D.刻蝕圖案
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多項選擇題
通常情況下,我們改變工藝條件使刻蝕進(jìn)行中()的刻蝕速率盡量低。
A.光刻膠
B.襯底
C.表面硅層
D.擴散區(qū)
E.源漏區(qū)
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單項選擇題
()是測量在刻蝕過程中物質(zhì)被移除的速率有多快的一種參數(shù)。
A.刻蝕速率
B.刻蝕深度
C.移除速率
D.刻蝕時間
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