單項(xiàng)選擇題

大硅片上生長的（）的不均勻和各個(gè)部位刻蝕速率的不均勻會(huì)導(dǎo)致刻蝕圖形轉(zhuǎn)移的不均勻性。

A.薄膜厚度
B.圖形寬度
C.圖形長度
D.圖形間隔

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單項(xiàng)選擇題

刻蝕要求在整個(gè)晶圓上有一個(gè)均勻的刻蝕速率，（）是在晶圓上由測量刻蝕過程前后特定點(diǎn)的厚度，并計(jì)算這些點(diǎn)的刻蝕速率而得到的。

A.選擇性
B.均勻性
C.輪廓
D.刻蝕圖案

多項(xiàng)選擇題

通常情況下，我們改變工藝條件使刻蝕進(jìn)行中（）的刻蝕速率盡量低。

A.光刻膠
B.襯底
C.表面硅層
D.擴(kuò)散區(qū)
E.源漏區(qū)

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