A.低電阻率 B.易與p或n型硅形成歐姆接觸 C.可與硅或二氧化硅反應 D.易于光刻 E.便于進行鍵合
A.蒸鍍 B.濺射 C.離子注入 D.CVD
A.LPCVD B.PECVD C.CVD D.PVD