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問答題

【計算題】砷化鎵中施主雜質濃度為10¹⁶cm^-3，分別計算T=300K、400K的電阻率和電導率。

答案：

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【計算題】硅中受主雜質濃度為10¹⁷cm^-3，計算在300K下的載流子濃度n₀和p₀。

答案：

【計算題】在300K下硅中電子濃度n₀=2×10³cm^-3，計算硅中空穴濃度p₀。判斷該半導體是n型還是p型半導體。

答案：

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