首頁
題庫
網(wǎng)課
在線???/a>
桌面端
登錄
搜標題
搜題干
搜選項
0
/ 200字
搜索
填空題
Si襯底上熱氧化的機理由()模型確定。氧化反應的快慢與三個因素有關,即:()。氧化層厚度的理論計算公式為:
式中A、B為與擴散率成正比的常數(shù),τ為由()決定的時間修正系數(shù)。
答案:
迪爾-格羅夫;溫度、氧化劑濃度和表面電勢;初始厚度
點擊查看答案
手機看題
你可能感興趣的試題
填空題
由于O
2
在SiO
2
中的擴散率遠()于Si 在SiO
2
中的擴散率,所以氧化反應是由O
2
穿過SiO
2
層,在()界面與Si原子反應。相同溫度下,濕氧氧化速率()于干氧氧化速率,是因為在SiO
2
中,H
2
O比O
2
有更()的擴散率和溶解度。由于N
2
和Si在Si
3
N
4
中的擴散率都很(),所以很難在Si襯底上熱生長Si
3
N
4
。通常在Si襯底上用()法沉積Si
3
N
4
薄膜。
答案:
高;Si-SiO
2
;高;高;低;PECVD
點擊查看答案
手機看題
填空題
擴散系統(tǒng)主要有以下四部分組成:()
答案:
爐體與爐管、氣體系統(tǒng)、溫度和氣源控制系統(tǒng)、裝片系統(tǒng)
點擊查看答案
手機看題
微信掃碼免費搜題