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【計算題】晶體管穿通后的特性如何變化?某晶體管的基區(qū)雜質(zhì)濃度N
B
=10
19
cm
-3
,集電區(qū)的雜質(zhì)濃度N
C
=5×10
15
cm
-3
,基區(qū)的寬度W
B
=0.3μm,集電區(qū)寬度W
C
=10μm,求晶體管的擊穿電壓。
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【計算題】硅晶體管的標(biāo)稱耗散功率為20W,總熱阻為5℃/W,滿負(fù)荷條件下允許的最高環(huán)境溫度是多少?(硅T
jm
=200℃,鍺T
jm
=100℃)
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【計算題】已知npn非均勻基區(qū)晶體管的有關(guān)參數(shù)為x
jc
=5μm,x
je
=3μm,電子擴散系數(shù)D
n
=8cm
2
/s,τ
n
=1μs,本征基區(qū)方塊電阻R
sB
=2500Ω,R
sE
=5Ω計算其電流放大系數(shù)α、β。
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