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問答題

【計算題】晶體管穿通后的特性如何變化？某晶體管的基區(qū)雜質(zhì)濃度N_B=10¹⁹cm^-3，集電區(qū)的雜質(zhì)濃度N_C=5×10¹⁵cm^-3，基區(qū)的寬度W_B=0.3μm，集電區(qū)寬度W_C=10μm，求晶體管的擊穿電壓。

答案：

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【計算題】硅晶體管的標(biāo)稱耗散功率為20W，總熱阻為5℃/W，滿負(fù)荷條件下允許的最高環(huán)境溫度是多少？（硅T_jm=200℃，鍺T_jm=100℃）

答案：

【計算題】已知npn非均勻基區(qū)晶體管的有關(guān)參數(shù)為x_jc=5μm，x_je=3μm，電子擴散系數(shù)D_n=8cm²/s，τ_n=1μs，本征基區(qū)方塊電阻R_sB=2500Ω，R_sE=5Ω計算其電流放大系數(shù)α、β。

答案：

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