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問答題
【簡答題】列出氧化硅的五種主要物理參數(shù)，并說明實際中如何測試氧化層厚度。
答案：
密度，折射率，電阻率，介電強度，（相對）介電常數(shù)。
實際中可用折射率，介質(zhì)強度和介電常數(shù)來測量。
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問答題
【簡答題】試說明熱氧化反應為什么發(fā)生在Si—SiO2界面上，以及這種反應機制有何好處？
答案：
在無定形SiO2的網(wǎng)絡結(jié)構(gòu)中，每個Si原子與四個氧原子形成共價鍵，而每個氧原子最多與兩個Si原子形...
問答題
【簡答題】氧化工藝產(chǎn)生的SiO2為何種類型？并說明其結(jié)構(gòu)對其強度和密度的影響。
答案：
半導體工藝中用熱氧化法生長的SiO2是典型的無定形SiO2。無定形SiO
