問答題

【計算題】已知n溝道MOSFET的溝道長度L=10μm,溝道寬度W=400μm,柵氧化層厚度tax=150nm,閾值電壓VT=3V,襯底雜質(zhì)濃度NA=9×1014cm-3,求柵極電壓等于7V時的漏源飽和電流。在此條件下,VDS等于幾伏時漏端溝道開始夾斷?計算中取μn=600cm2/(V·s)。

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