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【簡答題】簡述p溝道MOSFET的工作原理。
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【簡答題】簡要說明JFET的工作原理。
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【計算題】晶體管穿通后的特性如何變化?某晶體管的基區(qū)雜質(zhì)濃度N
B
=10
19
cm
-3
,集電區(qū)的雜質(zhì)濃度N
C
=5×10
15
cm
-3
,基區(qū)的寬度W
B
=0.3μm,集電區(qū)寬度W
C
=10μm,求晶體管的擊穿電壓。
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