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【簡答題】給出E/R反相器的電路結(jié)構(gòu),分析其工作原理及傳輸特性,并計(jì)算VTC曲線上的臨界電壓值。
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【簡答題】請畫出晶體管的I
D
—V
DS
特性曲線,指出飽和區(qū)和非飽和區(qū)的工作條件及各自的電流方程(忽略溝道長度調(diào)制效應(yīng)和短溝道效應(yīng))。
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問答題
【簡答題】為什么MOS晶體管會存在飽和區(qū)和非飽和區(qū)之分(不考慮溝道調(diào)制效應(yīng))?
答案:
晶體管開通后,其漏源電流隨著漏源電壓而變化。當(dāng)漏源電壓很小時,隨著漏源電壓的值的增大,溝道內(nèi)電場強(qiáng)度增加,電流隨之增大,...
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