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問答題
【簡答題】如何解決MOS器件的場區(qū)寄生MOSFET效應(yīng)？
答案：
在第二次光刻生成有源區(qū)時，進行場氧生長前進行場區(qū)離子注入，提高寄生MOSFET的閾值電壓，使其不易開啟；增加場氧生長厚度...
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問答題
【簡答題】消除“Latch-up”效應(yīng)的方法？
答案：
版圖設(shè)計時：為減小寄生電阻Rs和Rw，版圖設(shè)計時采用雙阱工藝、多增加電源和地接觸孔數(shù)目，加粗電源線和地線，對接觸進行合理...
問答題
【簡答題】什么是MOS晶體管的閂鎖效應(yīng)，其對晶體管有什么影響?
答案：
在單阱工藝的MOS器件中（P阱為例），由于NMOS管源與襯底組成PN結(jié)，而PMOS管的源與襯底也構(gòu)成一個PN結(jié)，兩個PN...
