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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】
圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請(qǐng)畫(huà)出Id2的大致變化，并說(shuō)明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。
答案：
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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】試述MOS管溝道長(zhǎng)度L和寬度W與閾值電壓的關(guān)系。
答案：
當(dāng)MOS工藝發(fā)展到亞微米、深亞微米水平后，必須考慮二階效應(yīng)。這時(shí)，隨著溝道長(zhǎng)度L的減小，閾值電壓將減小；隨著溝道寬度W的...
問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】什么是MOSFET的閾值電壓，它受哪些因素影響？
答案：
閾值電壓Vt是使半導(dǎo)體表面達(dá)到強(qiáng)反型所需加的柵極電壓。它受襯底摻雜濃度、體效應(yīng)、半導(dǎo)體材料的費(fèi)米勢(shì)等的影響。
