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問答題
【計算題】
已知室溫（300K）下硅的禁帶寬度Eg≈1.12eV，價帶頂空穴和導帶底電子的有效質(zhì)量之比m*p/m*n≈0.55，導帶的有效狀態(tài)密度NC≈2.8*1019/cm3，kT≈0.026eV。試計算：
1）室溫（300K）下，純凈單晶硅的本征費米能級Ei；
2）室溫（300K）下，摻磷濃度為1016/cm3的n型單晶硅的費米能級EF。
答案：
1）純凈單晶硅的本征費米能級Ei.
