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STI技術(shù)相比LOCOS工藝,占地面積更小,而且不會產(chǎn)生鳥嘴效應(yīng)。
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光刻時,必須將硅片與掩模版進行對準,不同的掩模版之間也要對準,可以采用仔細觀察的方法。
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形成接觸孔之前,需要先淀積一層PSG或BPSG材料,然后再該層材料上刻蝕出窗口作為接觸孔。
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